| 公開(公告)號 | CN1205167C |
| 公開(公告)日 | 2005.06.08 |
| 申請(專利)號 | CN00801343.8 |
| 申請日期 | 2000.05.01 |
| 專利名稱 | 2-羥基萘-3-羧酸的結(jié)晶及其制造方法 |
| 主分類號 | C07C65/11 |
| 分類號 | C07C65/11;C07C51/41 |
| 分案原申請?zhí)? | |
| 優(yōu)先權(quán) | 1999.5.7 JP 127158/1999 |
| 申請(專利權(quán))人 | 株式會社上野制藥應(yīng)用研究所 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人 | 上野隆三;北山雅也;泉地信孝;加藤博行 |
| 地址 | 日本大阪府大阪市 |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | PCT/JP2000/002862 2000.5.1 |
| 進入國家日期 | 2001.03.07 |
| 專利代理機構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 |
| 代理人 | 曹雯;楊麗琴 |
| 國省代碼 | 日本;JP |
| 主權(quán)項 | 2-羥基萘-3-羧酸的結(jié)晶，其特征在于，平均粒徑為157μm以上，74μm以下的粒子的比例是14％以下，光亮度是38-69，白度是4.6-18.0。 |
| 摘要 | 本發(fā)明提供了2-羥基萘-3-羧酸(BON)的結(jié)晶，其特征在于，平均粒徑157μm以上，74μm以下的粒子的比例是14％以下。本發(fā)明的結(jié)晶可以采用包含有BON的重結(jié)晶工序、特別是在高溫下的重結(jié)晶工序以及在高溫下進行BON制造工藝過程中的酸析的工序中的任一工序的方法制造。 |
| 國際公布 | WO2000/068177 日 2000.11.16 |
