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1.2根管預(yù)備兩組牙齒常規(guī)開髓、拔髓，以咬合面至距根尖孔1 mm處的距離記為根管工作長度，粘蠟封閉根尖孔。機用鎳鈦系列(登士柏，美國)參照供應(yīng)商提供的說明書進行根管預(yù)備：ProTaper轉(zhuǎn)速為350 r/min，采用冠下法預(yù)備根管。步驟為：用10號和15號K型銼疏通根管，按S1→S2→F1→F2→F3的順序完成根管預(yù)備，每根銼均到達工作長度。兩組預(yù)備過程中，每使用一個根管銼均用1 ml 17%EDTA(韓國)和3%H2O2(過氧化氫)交替沖洗根管1次。最后沖洗：A組超聲治療儀(法國賽特力)上的超聲銼放入根管的中1/3與根尖1/3交界處，超聲振動2 min，水速為20 ml/min，功率為中檔。超聲銼在根管內(nèi)振動時，盡量不與根管壁接觸，振動方向為頰舌向。B組用5 ml注射器向根管內(nèi)沖洗40 ml 17%EDTA，針頭位置在根中1/3與根尖1/3交界處，不緊貼根管壁;兩組根管沖洗完畢后用注射器向根管內(nèi)沖洗2 ml 0.9%氯化鈉防止沖洗液的進一步作用，最后把紙尖放入根管口以防外來碎屑掉入根管內(nèi)。
1.3掃描電鏡樣品制備與評價將已預(yù)備好的牙齒于釉牙骨質(zhì)界做環(huán)形溝，在牙唇、舌面各做一條貫穿牙體全長的縱形溝，溝深以接近但未達到根管為度，用鑿、錘沿預(yù)制的溝一次劈開。將能較好展示根管壁的一塊金鋼砂車針刻痕標記根冠1/3、根中1/3、根尖1/3的位置。然后用0.1 mol/lPBS(磷酸鹽緩沖液)清洗后，用4%戊二醛溶液預(yù)固定4～5 h，50%～100%叔丁醇系列梯度脫水后做低真空干燥處理，最后將樣品用導電膠粘附在樣品臺上，真空離子濺射噴鍍鉑金膜。JSM6390LV(日本)掃描電鏡觀察，采取單盲法觀察，并隨機在1500倍視野下拍照。根據(jù)玷污層厚度和牙本質(zhì)小管暴露情況對根管表面的清潔程度進行評分。玷污層分數(shù)[4]：1分：無玷污層，牙本質(zhì)小管開口清晰或僅有少量栓塞;2分：薄層玷污層，絕大部分牙本質(zhì)小管開口暴露;3分：薄層或均質(zhì)玷污層，牙本質(zhì)小管開口開放50%～80%;4分：片狀或團塊狀玷污層，小管開口開放不足50%;5分：厚玷污層，幾乎沒有開放的牙本質(zhì)小管。
1.4統(tǒng)計學處理應(yīng)用PEMS軟件對數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析，對根尖、中、冠三部分玷污層評級后行Wilcoxon秩和檢驗，檢驗水準α=0.05。
2結(jié)果
根據(jù)玷污層評分標準對牙本質(zhì)小管開口數(shù)目進行評分，然后對數(shù)據(jù)進行Wilcoxon秩和檢驗。結(jié)果顯示，根管冠1/3所有掃描電鏡照片可見牙本質(zhì)小管開口及少量碎屑。在根中1/3和根尖1/3，A組有少量碎屑，玷污層可見大量牙本質(zhì)小管開口;B組可見大量碎屑和玷污層見少量牙本質(zhì)小管開口(圖1～6,表1)。
表1根管壁玷污層評分比較(略)
注:A組根中1/3玷污層分級較B組有統(tǒng)計學差異(P<0.05);A組根尖1/3玷污層分級較B組有統(tǒng)計學差異(P<0.05)
圖1A組根冠1/3處無碎屑和玷污層少許可見見牙本質(zhì)小管開口(×1 500)(略)
圖2根中1/3處少量碎屑和玷污層見牙本質(zhì)小管開口(×1 500)(略)
圖3根尖1/3處玷污層存在大部分牙本質(zhì)小管開口(×1 500)(略)
圖4B組根冠1/3處無碎屑和玷污層可見牙本質(zhì)小管開口(×1 500)(略)
圖5根中1/3處少量碎屑和玷污層見牙本質(zhì)小管開口(×1 500)(略)
圖6根尖1/3處大量玷污層存在部分牙本質(zhì)小管開口(×1 500)(略)
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